APP头条主页微博关注捐助本站

量产吧论坛

 找回密码
 加入我们

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

用新浪微博登录

只需一步,快速搞定

手机号码,快捷登录

1 2 3
量产吧论坛 首页 存储图赏 查看内容

应用3D V-NAND堆叠TLC,三星850 EVO全球首拆!

2014-12-8 16:05| 发布者: 量产吧| 查看: 11922| 评论: 0|原作者: 大鲨鱼

摘要: 凭借雄厚的工厂资源,三星第一个将TLC闪存投入了实用,并连续推出了840、840 EVO两代产品,都是物美价廉的代表。现在,第三代的“850 EVO”来了,而且第一次应用了3D V-NAND堆叠的TLC。 这种闪存规格从一诞生就争 ...

       凭借雄厚的工厂资源,三星第一个将TLC闪存投入了实用,并连续推出了840、840 EVO两代产品,都是物美价廉的代表。现在,第三代的“850 EVO”来了,而且第一次应用了3D V-NAND堆叠的TLC。
s_b20661bc18a046eca3d6f18cca5dd9b4.jpg
       这种闪存规格从一诞生就争议不断,相比于单位的SLC、双位的MLC,三位的它成本更低,但是相对寿命短很多,性能也差一些。虽说无论从理论还是实际上看,TLC应付日常应用都绰绰有余,但是用户对它的长期可靠性一直都没有放下心来。
       特别是这段时间,iPhone 6部分也用了TLC闪存,结果出现了一些毛病,更是质疑声群起。在此之前,840 EVO、840先后出现了老数据读取掉速的问题,虽然三星极力否认和TLC有关,但实在没法让人信服。另一方面,三星也是第一个玩起3D堆叠闪存技术的,都发展到了第二代。
       850 EVO也是3D、TLC两种技术第一次结合在一起,堆了多达32层,能开出什么花呢?下面我们对它进行拆解!

【850 EVO规格解析】
       850 EVO仍是传统的SATA 6Gbps 2.5寸盘规格,6.8毫米超薄,容量分为120GB、250GB、500GB、1TB,搭配缓存256MB-1GB,安全技术支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0,平均故障间隔时间150万小时,终生数据写入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。不过闪存颗粒的具体工艺暂时不详。
       性能方面,持续读写最高都是540MB/s、520MB/s,随机读写则是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盘顶天也就是这样了,但是对于TLC来说已经很高很高,基本可以媲美MLC。
       值得一提的是主控,120-500GB用的是最新一代MGX,据称优化了性能,特别是低容量下的随机性能。1TB的则是和上代相同的MEX,后者的功耗也略高一些。
s_e18e644a174d416fb2e76b655e9c875b.gif
       从三星给出的数据看,同容量的850 EVO随机写入性能的确比840 EVO高很多,即便是同样主控的1TB版也更快了,队列深度1的时候都能加速21%,队列深度32的时候120GB版可以加速1.5倍!
s_661d7db5844d4a81a67566216cf9615c.gif
       840 EVO引入写入加速技术“TurboWrite”也延续了下来,它是通过将TLC模拟成高速的SLC来提升性能,现在号称更猛了,尤其是持续写入可以加快7-19%。
s_a46f45c10e594b53a9fdc240f46b67f0.gif
       RAPID技术同样还在,简单地说是借助系统内存和CPU资源缓存频繁访问的数据,进行加速。详情可以参考此前的报道。另外,质保时间也从3年提高到了5年,相信可以让大家更放心一些了。


12下一页

鲜花

握手

雷人

路过

鸡蛋

本文导航

发表评论

最新评论

火辣的商品!火辣的价格

关于我们|联系我们|封号公示|本站声明|无图浏览|手机版| 量产吧 ( 鲁ICP备13008317号-1  

GMT+8, 2018-4-27 05:19 , Processed in 0.230939 second(s), 33 queries , Gzip On.

Powered by 量产吧论坛

© 2018 Comsenz Inc.

返回顶部

鲁公网安备 37028502170158号