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SK Hynix将量产全球堆栈层数最多的3D NAND闪存:72层

2016-12-30 20:38| 发布者: 量产吧| 查看: 707| 评论: 0|原作者: 路虎666

摘要: 在中国厂商没发展起来之前,NAND闪存产业还有几年好日子可过,今年缺货、涨价也让厂商有资金和需求去提高产能,SK Hynix前几天才宣布投资2.2万亿韩元升级清州市工厂。除此之外,SK Hynix还将推出新一代3D NAND闪存,堆栈层数将从目前的36、48层提升到72层,一举超过三星、美光及东芝新一代64层堆栈3D闪存,预计在明年下半年正式量产。3D闪存相比普通2D闪存具备很多优势,包括性能、可靠性之外,最重要的就是它 ...

在中国厂商没发展起来之前,NAND闪存产业还有几年好日子可过,今年缺货、涨价也让厂商有资金和需求去提高产能,SK Hynix前几天才宣布投资2.2万亿韩元升级清州市工厂。除此之外,SK Hynix还将推出新一代3D NAND闪存,堆栈层数将从目前的36、48层提升到72层,一举超过三星、美光及东芝新一代64层堆栈3D闪存,预计在明年下半年正式量产。

3dnand_017.jpg

3D闪存相比普通2D闪存具备很多优势,包括性能、可靠性之外,最重要的就是它可以提高闪存容量,进一步降低成本,理论上堆栈层数越多,3D闪存容量就越大,优势也越明显。之前在引中国厂商竞折腰!3D NAND闪存是什么?有什么优势?一文中,我们也简单介绍了什么是3D闪存及四大豪门当前主要的3D闪存规格。

ASSD.jpg
2016年上半年各NAND厂商代表性的3D闪存规格及堆栈层数

三星发展3D NAND闪存最早,目前已经推出了三代V-NAND闪存,最高堆栈层数是48层,下一代3D闪存是64层堆栈,今年底开始量产。东芝/西数则是BiCS类型的3D闪存,堆栈层数是48层,下一代也是64层堆栈,美光/Intel的3D闪存进度最晚,堆栈层数也是32层,下一代则会提升到64层堆栈,美光在新加波的10X晶圆厂年底将会量产64层堆栈闪存。

SK hynix的3D闪存发展了两代了,32层堆栈的算是实验性的,今年11月份正式量产48层堆栈的3D闪存。不过根据韩联社的消息,SK Hynix的下一代3D闪存也在路上了,2017年上半年完成芯片设计,2017年下半年正式量产,生产厂就是去年才建成的利川市M14晶圆厂。

从层数上来看,SK Hynix如果明年真的能顺利量产72层3D闪存,那么他们的堆栈能力就超过了其他三家,后者明年的3D闪存还是64层堆栈的,不过三星此前已经提到了96层堆栈的3D闪存,早已在研发中,只是尚未有确定的量产时间表。


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