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海力士谋划72层堆叠闪存:单颗轻松1TB

2017-2-1 18:35| 发布者: 量产吧| 查看: 657| 评论: 0|原作者: 路虎666

摘要: 如今各种设备对于NAND闪存的容量要求越来越高,迫使厂商们不得不持续改进技术,尤其是强化3D堆叠设计。SK海力士就计划在今年量产72层堆叠闪存。2015年,SK海力士量产了第二代36层堆叠3D MLC NAND(3D-V2),单晶粒容量128Gb(16GB)。2016年,SK海力士推出了第三代48层堆叠的3D-V3,闪存类型改成TLC,重点单晶粒容量256Gb(32GB),而封装芯片的容量最高可以达到4096Gb(512GB)。 2017年,我们将看到SK海 ...

如今各种设备对于NAND闪存的容量要求越来越高,迫使厂商们不得不持续改进技术,尤其是强化3D堆叠设计。SK海力士就计划在今年量产72层堆叠闪存。2015年,SK海力士量产了第二代36层堆叠3D MLC NAND(3D-V2),单晶粒容量128Gb(16GB)。2016年,SK海力士推出了第三代48层堆叠的3D-V3,闪存类型改成TLC,重点单晶粒容量256Gb(32GB),而封装芯片的容量最高可以达到4096Gb(512GB)。

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2017年,我们将看到SK海力士的第四代3D-V4,惊人的72层堆叠,还是TLC,其中第二季度量产的单晶粒容量仍为256Gb,而第四季度翻番到512Gb(64GB),这样封装闪存芯片的最高容量将达到8192Gb(1TB)。

更重要的是,这一代闪存的区块尺寸将从9MB增大到13.5MB,有助于提升性能。

这意味着,其实只需要两颗芯片,就能造出2TB容量的单面M.2 SSD,而且成本更低,另一方面120/128GB等低容量产品可能会被基本放弃。


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