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SK海力士成功研发72层堆叠闪存:读写速度增加20%!

2017-4-11 16:04| 发布者: 量产吧| 查看: 547| 评论: 0|原作者: 路虎666

摘要: SK海力士近日正式宣布推出世界首款72层256Gb 3D NAND闪存,基于TLC阵列。这也是在2016年11月首颗48层3D NAND芯片宣布仅仅5个月之后,SK海力士再次取得的重大突破。据介绍,相比于之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加了30%。同时,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍,读写性能大幅增加20%。SK海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下半年大 ...

SK海力士近日正式宣布推出世界首款72层256Gb 3D NAND闪存,基于TLC阵列。这也是在2016年11月首颗48层3D NAND芯片宣布仅仅5个月之后,SK海力士再次取得的重大突破。

据介绍,相比于之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加了30%。同时,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍,读写性能大幅增加20%。

SK海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产,满足高性能固态硬盘和智能手机设备的需求。

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